Introduction to Solid State Physics |
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... 不純物によるドナーのイオン化エネルギー( eV 単位) P As Sb Si 0.045 0.049 0.056 0.039 Ge 0.0120 0.0127 0.0096 第一 ... 不純物に捕えられると全く同じように、正孔はシリコンやゲルマニウムの中の三価の不純物に捕えられうる。これらの二つの情況を図 ...
... 不純物によるドナーのイオン化エネルギー( eV 単位) P As Sb Si 0.045 0.049 0.056 0.039 Ge 0.0120 0.0127 0.0096 第一 ... 不純物に捕えられると全く同じように、正孔はシリコンやゲルマニウムの中の三価の不純物に捕えられうる。これらの二つの情況を図 ...
Page 309
... 不純物が存在しないときは,正孔と電子の数は互に等しく,このような物質は固有半導体とよばれていることはすでにのべた。絶対 ... 不純物濃度は 1cc あたり 1012 個の不純物原子程度であるから,明らかに,ゲルマニウムでは室温で固有伝導を取扱うことが可能 ...
... 不純物が存在しないときは,正孔と電子の数は互に等しく,このような物質は固有半導体とよばれていることはすでにのべた。絶対 ... 不純物濃度は 1cc あたり 1012 個の不純物原子程度であるから,明らかに,ゲルマニウムでは室温で固有伝導を取扱うことが可能 ...
Page 312
Charles Kittel. 不純物原子が存在する場合の移動度不純物原子の数が比較的少い場合、または高温の場合には,格子散乱が移動度を決定する.不純物原子の濃度が高い場合には,不純物原子による散乱が重要になるだろう.その散乱は不純物が中性であるか,イオン化 ...
Charles Kittel. 不純物原子が存在する場合の移動度不純物原子の数が比較的少い場合、または高温の場合には,格子散乱が移動度を決定する.不純物原子の濃度が高い場合には,不純物原子による散乱が重要になるだろう.その散乱は不純物が中性であるか,イオン化 ...
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Common terms and phrases
Phys あっ あり イオン イオン結晶 エネルギー バンド および キューリ ゲルマニウム ここ したがって すなわち スピン すると だけ チタン チタン酸バリウム つぎ つの できる という とき ナトリウム なる における によって による に対する フェルミ ベクトル ポテンシャル また より られ ろう 運動 塩化ナトリウム 温度 関係 境界 近似 金属 係数 計算 結果 結合 結晶 原子 固体 構造 考え 試料 磁気能率 磁場 磁性 示し 示す 自由電子 室温 質量 実験 場合 状態 振動数 双極子 相互作用 測定 対し 対称 帯域 帯磁率 単位体積 弾性 低温 転位 伝導電子 伝導度 電荷 電気伝導度 電場 電流 当り 濃度 波動函数 反射 比熱 分極 分極率 分子 分布 変化 方向 方程式 密度 有効質量 誘電体 誘電率 与えられる 用い 理論 立方格子 粒子 量子 励起