Introduction to Solid State Physics |
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... holes in semiconductors による。版権 1950 年. Van Nostrand . )であり, S 原子の座標は;;; 4 である.単位格子には ZnS の 4 分子がある。各原子は自分を中心とする正四面体の角に(等距離)異種の 4 原子をもっている.ダイヤモンド構造には最近接原子を ...
... holes in semiconductors による。版権 1950 年. Van Nostrand . )であり, S 原子の座標は;;; 4 である.単位格子には ZnS の 4 分子がある。各原子は自分を中心とする正四面体の角に(等距離)異種の 4 原子をもっている.ダイヤモンド構造には最近接原子を ...
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... holes in semiconductors , Van Nostrand , New York , 1950 . E. Spenke , Elektronische Halbleiter , Springer , Wiesbaden , 1955 . Transistor Issue , Proc . I.R.E. 40 , No. 11 ( November , 1952 ) . A. H. Wilson , Semiconductors and metals ...
... holes in semiconductors , Van Nostrand , New York , 1950 . E. Spenke , Elektronische Halbleiter , Springer , Wiesbaden , 1955 . Transistor Issue , Proc . I.R.E. 40 , No. 11 ( November , 1952 ) . A. H. Wilson , Semiconductors and metals ...
Page 347
... holes in semiconductors , Van Nostrand , New York , 1950 . M. J. O. Strutt , Transistoren , Hirzel , Zürich , 1954 . H. C. Torry and C. A. Whitmer , Crystal rectifiers , McGraw - Hill , New York , 1948 . Transistor Issue , Proc . I.R.E. ...
... holes in semiconductors , Van Nostrand , New York , 1950 . M. J. O. Strutt , Transistoren , Hirzel , Zürich , 1954 . H. C. Torry and C. A. Whitmer , Crystal rectifiers , McGraw - Hill , New York , 1948 . Transistor Issue , Proc . I.R.E. ...
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Phys あっ あり イオン イオン結晶 エネルギー バンド および キューリ ゲルマニウム ここ したがって すなわち スピン すると だけ チタン チタン酸バリウム つぎ つの できる という とき ナトリウム なる における によって による に対する フェルミ ベクトル ポテンシャル また より られ ろう 運動 塩化ナトリウム 温度 関係 境界 近似 金属 係数 計算 結果 結合 結晶 原子 固体 構造 考え 試料 磁気能率 磁場 磁性 示し 示す 自由電子 室温 質量 実験 場合 状態 振動数 双極子 相互作用 測定 対し 対称 帯域 帯磁率 単位体積 弾性 低温 転位 伝導電子 伝導度 電荷 電気伝導度 電場 電流 当り 濃度 波動函数 反射 比熱 分極 分極率 分子 分布 変化 方向 方程式 密度 有効質量 誘電体 誘電率 与えられる 用い 理論 立方格子 粒子 量子 励起