Introduction to Solid State Physics |
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... Transistors : theory and applications , McGraw - Hill , New York , 1955 . H. Y. Fan , " Valence semiconductors " , Solid ... Transistor Issue , Proc . I.R.E. 40 , No. 11 ( November , 1952 ) . A. H. Wilson , Semiconductors and metals ; an ...
... Transistors : theory and applications , McGraw - Hill , New York , 1955 . H. Y. Fan , " Valence semiconductors " , Solid ... Transistor Issue , Proc . I.R.E. 40 , No. 11 ( November , 1952 ) . A. H. Wilson , Semiconductors and metals ; an ...
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... ( Transistor technology )の二書を参照されたい.ポテンシャル障壁層による整流作用整流器”は,図 14.3 に例示したような電圧に関して非対称な電流一電圧特性をもつものである。整流作用は,電気伝導度の異った二物質,普通は金属と半導体,の接触面に低電気 ...
... ( Transistor technology )の二書を参照されたい.ポテンシャル障壁層による整流作用整流器”は,図 14.3 に例示したような電圧に関して非対称な電流一電圧特性をもつものである。整流作用は,電気伝導度の異った二物質,普通は金属と半導体,の接触面に低電気 ...
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... Transistors : theory and applications , McGraw - Hill , New York , 1955 . J. A. Morton , " Present status of transistor development " , Bell System Tech . J. 31 , 411 ( 1952 ) . M. G. Say , editor , Crystal rectifiers and transistors ...
... Transistors : theory and applications , McGraw - Hill , New York , 1955 . J. A. Morton , " Present status of transistor development " , Bell System Tech . J. 31 , 411 ( 1952 ) . M. G. Say , editor , Crystal rectifiers and transistors ...
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Phys あっ あり イオン イオン結晶 エネルギー バンド および キューリ ゲルマニウム ここ したがって すなわち スピン すると だけ チタン チタン酸バリウム つぎ つの できる という とき ナトリウム なる における によって による に対する フェルミ ベクトル ポテンシャル また より られ ろう 運動 塩化ナトリウム 温度 関係 境界 近似 金属 係数 計算 結果 結合 結晶 原子 固体 構造 考え 試料 磁気能率 磁場 磁性 示し 示す 自由電子 室温 質量 実験 場合 状態 振動数 双極子 相互作用 測定 対し 対称 帯域 帯磁率 単位体積 弾性 低温 転位 伝導電子 伝導度 電荷 電気伝導度 電場 電流 当り 濃度 波動函数 反射 比熱 分極 分極率 分子 分布 変化 方向 方程式 密度 有効質量 誘電体 誘電率 与えられる 用い 理論 立方格子 粒子 量子 励起