Halbleiter-TechnologieAus den Besprechungen: "Der Autor wendet sich mit diesem Buch an Leser, die Halbleiterkomponenten herstellen wollen. Er versucht einen Mittelweg zu nehmen, indem er sich auf grundlegende Theorien abstützt, aber auch technologische Prozesse beschreibt. Auch Schwierigkeiten, die entstehen, wenn neu entwickelte Technologien in die Produktion übergeführt werden müssen, verschweigt er nicht. ..." #PTT Bulletin technique/Technische Mitteilungen# "... Dem Autor dieses Buches ist es gelungen, sowohl die grundlegenden Theorien als auch die technologischen Prozesse und Verfahren in einer lebendigen und eindrucksvollen Art zu behandeln. Das Buch wird viele Freunde finden." #Elin-Zeitschrift# "Das Buch schließt eine Lücke in der deutschsprachigen Literatur, die von Lehrenden und Lernenden und sicher auch von Praktikern stark empfunden wurde. Der Versuch des Verfassers, sich bei der Beschreibung der technologischen Prozesse nicht in Einzelheiten zu verlieren, vielmehr das Grundsätzliche herauszustellen und auch theoretisch abzustützen, darf als geglückt bezeichnet werden..." #AEU Archiv für Elektronik und Übertragungstechnik# |
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Abscheidung Aluminium amorphen Arsen Atome Ätzen Ätzgruben Ätzung aufgrund Ausdiffusion Austrittsarbeit Barrierenhöhe Bauelemente Bereich beschrieben Beseitigung der Fotolackmaske bestimmt chemische cm²/s dargestellt Dicke Diffusion Diffusionskonstante Dotierung Dotierungsatome Dotierungselement Dotierungskonzentration Dotierungsprofil dünnen Eindiffusion Einfluß einkristallinen einkristalliner Schichten elektrischen Elektronen Energie entsprechend entstehen epitaktischen erfolgt erforderlich ergibt erzeugt flüssigen folgenden Fotolack Fotolithographie mit Maske GaAs Gallium Galliumarsenid gasförmigen Gehäuse geringe Gitterplätzen groß große Halbleiter Halbleiterscheibe Herstellung von Integrierten hohen Implantation implantierten Integrierten Schaltungen Ionen Ionendosis Ionenimplantation Ionenquelle kleiner Komponenten konstant Kontaktierung Konzentration Kristall Kristallfehler Kristallgitter Kristalloberfläche Ladungsträger läßt Leitfähigkeit lokalen Oxidation Löslichkeit Lösung Majoritätsträger Material maximale meist Messung Metall Methode Mikromechanik Millerschen Indizes möglich muß Oberfläche Oberflächenkonzentration ohmschen Kontakt Oxid Oxidation Oxidschicht Phasendiagramm Phosphor Planartechnik Plättchen pn-Übergang polykristallinen Raumladungszone Reaktionsraum reaktiven Scheibe schematisch Schichtwiderstand Schmelze Schottky-Effekt SiCl4 Silizium Siliziumdioxid Siliziumscheibe SiO2 Spannung Stapelfehler stark Strukturen Substrat Tabelle technologischen Temperatur unterschiedlichen Verfahren verschiedenen Versetzungslinie Verunreinigungen verwendet wobei µm/min